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3. 电流/电压差:普通氧化电流密度一般为:1-1.5A / dm2;和硬氧化:1.5-5A / dm2;普通氧化电压≤18V,硬氧化有时高达120V。通常低于5°C,温度越低,硬度越高。

(2)薄膜特性的差异:

1. 薄膜层的厚度:普通氧化膜层的厚度相对较薄;WWW.麻豆.COM物通常具有>15μm的厚度,其太低而不能满足硬度≥300HV的要求。

2. 表面状态:普通氧化表面光滑,而WWW.麻豆.COM表面较厚粗糙(微观,与基材的表面粗糙度有关)。

3. 孔隙率不同:普通氧化孔隙率高; 硬质系氧化孔隙率低。

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